单伟伟职务:教研室副主任
单位:国家ASIC工程中心
电话:025-83793265
出生年月:
邮箱:wwshan@seu.edu.cn
学历:博士
地址:
职称:教授、研究员
个人简介 单伟伟,学院青年首席教授、博导。2009年博士毕业于清华大学。主要研究方向为数字集成电路低功耗技术和智能芯片设计。近五年来在近阈值到宽电压低功耗定制电路、自适应电压调节芯片、高能效加密电路和高能效智能芯片等方面积累了丰富经验。研究成果接连发表在集成电路顶级国际会议和期刊,如ISSCC、JSSC、IEEE TCASI/II等。获国家科技进步二等奖和江苏省科学技术一等奖。授权美国发明专利6项,中国发明专利30余项。
教育经历 1999.9-2003.6,天津大学电信学院,获工学学士学位; 2003.0-2009.1 清华大学微电子学研究所,硕博连读,获工学博士学位; 2007.8-2008.8 美国马里兰大学 ECE学院,联合培养博士生。 工作经历 2009.2-2012.3 学院电子科学与工程学院,讲师; 2012.4-2019.5 学院电子科学与工程学院,副教授; 2013.1-至今学院电子科学与工程学院,硕导、博导; 2019.6-至今学院电子科学与工程学院,教授; 2018.2-2019.2 美国哥伦比亚大学,访问学者。 讲授课程 (1)本科生专业基础课程《VLSI设计基础》 (2)研究生专业课《VLSI系统设计》 (3)研究生专业课《专用集成电路设计》 教学研究 (1)负责完成学院教改重点项目、学院研究生教改项目等。 (2)负责完成了《VLSI设计基础》的在线开放课程,于2018年获国家精品在线开放课程、2020年被认定为首批国家级一流本科课程。持续更新课程内容,目前已经在中国大学MOOC平台开放9期。 出版物 研究领域或方向 SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片设计。 研究项目 国家自然科学基金 江苏省自然科学基金-杰出青年基金项目 企业横向项目 研究成果 主持完成国家重大专项“面向智能终端的嵌入式高能效深度学习引擎开发与产业化”;主持江苏省杰出青年基金项目;主持国家自然科学基金面上项目:语音唤醒人工智能芯片的极低功耗设计技术“近阈值超宽电压电路的PVT偏差弹性设计方法研究”、“基于自适应双向时钟拉伸的VLSI时序余量片上消除方法及其电路实现”等。 近五年来累计在28nm和40nm工艺成功流片十余次,在近阈值到宽电压低功耗定制电路、自适应电压调节芯片、和高能效智能芯片等方面积累了丰富经验,流片测试结果均发表在IEEE transactions高水平期刊和著名会议上。 在集成电路最顶级国际会议ISSCC上发表论文3篇;在顶级期刊JSSC (IEEE Journal of solid-state circuits)上发表论文5篇,IEEE transactions期刊上发表若干篇。 获2014年国家科技进步二等奖和2018年江苏省科学技术奖一等奖;获A-SSCC2017杰出设计奖、GLSVLSI2018最佳论文候选奖、ICTA2022最佳论文奖;授权美国发明专利6项,中国发明专利30余项。 学术兼职 2018~至今 IEEE ISCAS国际会议的TPC委员、分会主席 2018~至今 中国计算机协会容错专委 2019~至今 IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA )TPC委员 2020~至今 IEEE Asian Hardware Oriented Security and Trust Symposium TPC委员 2020 国家级一流本科课程负责人 2018 江苏省科学技术一等奖 2014 国家科技进步二等奖 2012 高校“青蓝工程“优秀青年骨干教师培养对象 2017 全国高等学校电子信息类专业青年教师授课竞赛全国三等奖 2017 学院教学奖励金二等奖 2017 A-SSCC Distinguished Design Award 2018 GLSVLSI Best Paper Candidate 2022 ICTA Best Paper Award 团队介绍 招生情况 【诚招有志于数字集成电路设计、低功耗技术方面的硕士、博士、博士后】 毕业生介绍 |